엔비디아 맞춤형 고대역폭메모리(HBM) ‘NVHBM’. 엔비디아 삼성전자가 엔비디아의 맞춤형 고대역폭메모리(HBM)인 ‘NVHBM’ 공급의 핵심 파트너 지위를 선。하게 됐다. 엔비디아가 차세대 인공지능(AI) 컴퓨팅 시스템부터 적용할 NVHBM을 더 높이 쌓는 대신 적층 수를 낮추고 속도를 높이는 새로운 AI 메모리 전략을 추진하면서다. 28일 업계에 따르면 삼성전자(005930)는 엔비디아 요구에 맞춰 HBM4E(7세대) 8단 제품을 개발하고 있다. 당초 준비한 12단·16단보다 높이를 낮춘 제품이다. 여기에 엔비디아가 삼성에 제시한 속도 사양은 17~18Gbps(초당 기가비트)다. 삼성의 초기 HBM4E 샘플 속도(14.4Gbps)보다 20%가량 높다. 이는 엔비디아가 전날 공개한 독자 기술 규격(NV링크)에 최적화된 NVHBM에 쓰일 예정이다. 8단 채택은 기존 HBM 경쟁 공식과 정반대다. HBM은 그간 4단에서 8단, 12단까지 높이 쌓으면서 용량을 늘려왔다. 층수가 높아질수록 D램 다이를 얇게 깎고 정밀하게 쌓아야 해 후공정 난이도와 수율 부담은 커진다. 반면 8단은 제조 부담을 낮춰 더 많은 HBM을 공급하기에 유리하다. 이는 엔비디아가 메모리 부족을 타개하려는 전략으로 읽힌다. . 엔비디아는 대신 속도를 끌어올릴 방침이다. NVHBM은 내년 출시 예정인 차세대 AI 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈 울트라’부터 적용될 가능성이 높다. 황금성나비 루빈 울트라는 GPU 간 연결 규모를 기존 72개에서 최대 576개로 8배 확대한다. HBM 적층 수를 낮춰 GPU당 메모리 용량은 줄더라도 더 빠른 HBM을 탑재한 GPU 수백 개를 하나로 묶어 전체 연산 성능을 높이겠다는 구상이다. 삼성은 ‘커스텀 HBM’ 시장에서 SK하이닉스(000660)나 마이크론에 비해 경쟁력이 높다. NVHBM은 D램뿐 아니라 로직(시스템반도체) 기반의 베이스다이 설계·생산 역량이 필요한데, 삼성은 이를 모두 갖춰 일괄 대응할 수 있기 때문이다. 업계 관계자는 “삼성은 HBM4에서 업계 최고 수준의 속도를 입증한 만큼 고적층보다 속도 경쟁에서 강.을 살릴 수 있다”고 말했다. ter">